磁控溅射镀膜工艺中的薄膜厚度均匀性、薄膜的成膜质量、溅射速率等方面的问题是实际生产中十分关注的。影响这些工艺稳定性的因素主要有溅射功率、气体压力与氩气纯度、靶与基片的距离、磁场的强度与分布、基片的温度与清洁度等因素。

(1)、溅射功率的影响

溅射功率的增加会提高膜厚的均匀性、溅射速率，随着溅射功率的增加，等离子体的面积增大，因此膜层的均匀性会提高。功率的增大，能提高氩气的电离度，增大溅射出的靶材原子数量，从而提高了溅射速率。而这些靶原子带有很高的能量淀积到基片上，因此能提高靶材原子与基片的附着力和薄膜的致密度。从而提高了薄膜的成膜质量。但是过高的功率会造成原子带有过高的能量轰击基片，二次电子也相应增多，这都会造成基片温度过高，会降低薄膜成膜质量与溅射速率。

（2）靶基距的影响

在靶基距较小时，薄膜质量较高、溅射速率比较高，但膜层均匀性很差。增大靶基距，薄膜质量与溅射速率会减低，膜层均匀性会提高，因此合适的靶基距是保证工艺稳定性的重要因素。因设备在出厂时已经设定了合适的靶基距，因此这里不再讨论。

（3）气体压力与氩气的影响

在气体压力很低的情况下，可以电离的氩气很少，轰击靶材的Ar+也很少，因此溅射速率很低，甚至可能无法起辉。随着气体压力的增大，氩气的浓度增大，被溅射出的靶材原子在飞向基片的过程中，与这些气体碰撞的几率变大，靶材原子的分布变得均匀，从而能提高膜层的均匀性。同时Ar+密度随着氩气浓度增大而增大，溅射出来的靶原子也会增加，从而增大了溅射速率。但是气体压力过大会降低溅射速率与成膜质量，因为过大的气体压力会增大靶材原子与气体的碰撞次数，靶材原子损失大量能量，使得沉积到基片上的原子的能量过低，从而影响膜层的附着力与致密性。同时过大的气体压力会造成离子的平均自由程的降低，与气体分子碰撞的次数过多，也会导致沉积速率的降低。

（4）磁场的影响

磁场不均匀会使薄膜的均匀性变差，磁控溅射的基本原理就是通过磁场来延长电子的运动轨迹，尽可能的与氩原子发生碰撞，在磁场强的地方产生的Ar+离子多，轰击出的靶材原子也比较多，基片上膜层就比较厚，反之磁场弱的地方，膜层较薄。显然，磁场的强弱也会影响沉积速率，磁场强沉积速率高，反之，沉积速率低。

（5）基片温度与清洁度的影响

合适的基片温度能提高薄膜的附着力与淀积速度，这个需要根据不同的靶材摸索具体的温度。基片的清洁度对基片与薄膜的附着力的影响很大，因此做好基片与真空腔体的清洁工作十分重要。