常见的镀膜工艺有PVD（物理气相沉积）工艺和CVD（化学法镀膜）两种，下面来简单介绍一下这两种工艺。

1）PVD（物理气相沉积）工艺：是指在真空条件下，采用物理方法，将材料源表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等，其中显示面板用的铟锡靶ITO主要采用真空镀膜。

2）CVD（化学法镀膜工艺）技术：该技术是在高温下依靠化学反应、把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜材料的技术。其中，真空镀膜具有更好的可重复性、膜厚可控性会使基板材料上的镀膜更加均匀，所制备的薄膜纯度更高、致密性更好，更适合高端领域（半导体）的应用。